Ю. Косарев — новинки

Приведены сведения о принципе действия, схемотехнике и особенностях использования полупроводниковых постоянных запоминающих устройств, допускающих запись информации электрическим способом Рассмотрены элементы и устройства, основанные на принципе пережигания плавких перемычек, хранения заряда в двухслойной структуре МНОП-транзистора и в изолированном затворе лавинно-инжекционного МОП-транзистора, на применении аморфных полупроводников.