
Автор
Юлий Уханов
5.0
5.0
4оценки
Рейтинг автора складывается из оценок его книг. На графике показано соотношение положительных, нейтральных и негативных оценок.
5 | 4 | |
4 | 0 | |
3 | 0 | |
2 | 0 | |
1 | 0 | |
без оценки |
0 |
4оценки
Юлий Уханов - все книги по циклам и сериям | Книги по порядку
- 1 произведение
- 6 изданий на 2 языках
-
Ия Ипатова, Вадим Мастеров, Юлий Уханов Курс физики. В 2 томах. Том...
ISBN: 5-7422-0410-8 Год издания: 2003 Издательство: Издательство СПбГПУ Язык: Русский Аннотация
В предлагаемом учебном пособии нового типа последовательность изложения соответствует логической структуре физики как науки. В основу всех разделов: механики, термодинамики, электромагнитных явлений - положены законы сохранения и стоящие за ними симметрии.
При создании учебного пособия авторами использован многолетний опыт чтения общего курса физики на физических и технических факультетах Санкт-Петербургского государственного политехнического университета, а также широкого обсуждения материала учебного пособия на семинарах, совещаниях и конференциях преподавателей физики вузов не только России, но и других стран.
Учебное пособие предназначено для студентов физических и инженерно-технических специальностей вузов, может быть использовано и во втузах с обычной программой по физике. -
Ия Ипатова, Вадим Мастеров, Юлий Уханов Курс физики. В 2 томах. Том...
ISBN: 5-7422-0263-6 Год издания: 2003 Издательство: Издательство СПбГПУ Язык: Русский Аннотация
Предлагаемое учебное пособие по физике электромагнитных явлений отличается существенной модернизацией, выражающейся в современной оценке материала и соответствующей расстановке акцентов. Авторы отказались от исторического, перечислительного изложения и реализовали концептуальный подход, позволяющий в каждом разделе курса выделить основную идею и главные экспериментальные факты. Такой подход позволил разработать разные программы курса физики для различных факультетов Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. -
Ия Ипатова, Вадим Мастеров, Юлий Уханов Курс физики. Том I. Механик...
Год издания: 2001 Издательство: Издательство СПбГТУ Язык: Русский Аннотация
В предлагаемом учебном пособии нового типа последовательность изложения соответствует логической структуре физики как науки. В основу всех разделов: механики, термодинамики, электромагнитных явлений - положены законы сохранения и стоящие за ними симметрии.
При создании учебного пособия авторами использован многолетний опыт чтения общего курса физики на физических и технических факультетах Санкт-Петербургского государственного университета, а также широкого обсуждения материала учебного пособия на семинарах, совещаниях и конференциях преподавателей физики вузов не только России, но и других стран.
Учебное пособие предназначено для студентов физических и инженерно-технических специальностей вузов, может быть использовано и во втузах с обычной программой по физике. -
Ия Ипатова, Вадим Мастеров, Юлий Уханов Курс физики. В двух томах.
-
Юлий Уханов Оптические свойства полупро...
Год издания: 1977 Издательство: Главная редакция физико-математической литературы издательства "Наука" Язык: Русский Аннотация
Оптические методы исследования позволяют изучать физические свойства полупроводников и независимо от других методов точно определять их характеристические параметры.
В настоящей монографии творчески обобщены последние результаты экспериментальных исследований оптических свойств полупроводников на примере трех групп материалов: элементарные полупроводники (Ge, Si), соединения A3В5 (InSb, InAs, GaAs и другие), соединения A4В6 (PbS, PbSe, РbТе). Эти материалы полно раскрывают особенности структуры электронных спектров полупроводников, наиболее детально исследованы и широко применяются в полупроводниковых приборах. Большое внимание в монографии уделено описанию методик экспериментального исследования спектров отражения и прозрачности в области длин волн от ультрафиолетовой до далекой инфракрасной.
Краткое рассмотрение теории явлений позволяет читателю сделать вывод о возможностях метода и точности измеряемых с его помощью параметров полупроводника.