Олег Кулинич — новинки

В данной работе рассматривается история развития понятия «качество» с точки зрения развития экономико-политических и социальных аспектов. Особое внимание уделено влиянию качества продукции на конкурентноспособность. Определены основные факторы, влияющие на формирование и сохранение качества продукции. Приведены основные способы оценивания качества по наиболее существенным показателям.Рассмотрены основные виды существующих экспертиз, их роль в разрешении конфликтных ситуаций и основные отличия и сходства экспертизы от других видов контрольной деятельности. Поскольку в большинстве случаев при проведении экспертизы бывает недостаточно только изучить имеющуюся документацию, есть необходимость провести собственные исследования. В настоящей работе присутствует подраздел, посвященный рассмотрению основных методов экспертных исследований, включающие как измерительные классические и современные методы, так и эвристические методы. Данная работы будет представлять интерес не только для специалистов-экспертов, но и для студентов экономических вузов товароведческих специальностей.

Целью данного учебного пособия было создание обобщенной теоретической базы для подготовки экспертов в области знаний по безопасности, качеству пищевых продуктов и промышленных товаров и факторов их формирующих. Методологическая и теоретическая основа данного учебника – система знаний, которая требует научной систематизации накопленного материала на основе изучения законодательной базы, закономерностей развития общества в новых экономических условиях, изучения понятийного аппарата, система методов, заданий, и функций. Учебное пособие предназначено не только для студентов, обучающихся по направлению «Экспертиза товаров и услуг», но и для специалистов сферы торговли, работников таможенных и экспертных организаций, чья профессиональная деятельность связана с решением задач экспертной оценки

Данное учебное пособие посвящено решению актуалной проблемы - выявлению возможных путей фальсификации товарной продукции и борьбы с ней.Насущной проблемой современности стала разработка новых подходов к явлению фальсификации товаров в целом, которые будут отображать и с логической, и с научной, и с юридической точки зрения реальную картину проблемы качества товаров на мировых рынках. Данное учебное пособие предназначено для студентов товароведческих специальностей,а также для специалистов, работающих в области экпертизы товарной продукции.

В работе изучены влияние магнитного поля на основные физические процессы, протекающие в транзисторных структурах (инжекция, перенос и экстракция неосновных носителей), и возможности создания на базе таких структур преобразователей магнитного поля с различными свойствами. Определены основные механизмы чувствительности и построены физические и математические модели таких структур. Установлена зависимость их электрофизических параметров от конструкционно-технологических факторов и электрического режима. Исследованы созданные на основе транзисторных структур магниточувствительные элементы функциональной электроники, обладающие, за счет сочетания базового эффекта перераспределения концентрации инжектированных носителей под действием магнитного поля с другими электронными эффектами, рядом специальных свойств (пороговая и переключательная реакции на магнитное поле, положительный температурный коэффициент магниточувствительности и пр.). Рассмотрены вопросы разработки радиоэлектронных устройств различного функционального назначения на основе магнитотранзисторов.

Данное учебное пособие предназначено как для студентов экономических и социально-политических дисциплин, так и для студентов естественных факультетов, желающих расширить свои представления о современной отрасли науки - нанотехнологии. Первые две главе посвящены социально-экономическим аспектам нанотехнологий в глобальном мире за последние 5-10 лет. Последние главы описывают основные методы получения и использования наноструктур в передовой науке.

Работа посвящена проблеме изучения проблемы дефектообразования в инжекционных pin-фотоприемниках и влиянию дефектов на их параметры.Поскольку основные параметры полупроводников (время жизни, время свободного пробега и т.п.) сильно зависят от наличия дефектов, это оказывает влияние на такие параметры готовых pin-фотоприемников, как чувствительность, коэффициент усиления тока, время срабатывания, время регенерации, стабильность, избирательность, темновой ток.Показано, что влияние дефектов типа дислокаций на параметры фотоприемников, в основном, происходит вследствие изменения времени свободного пробега носителей зарядов, обусловленного существованием рассеивающих потенциальных барьеров,связанных с дефектами. Монография представляет интерес для широкого круга специалистов, работающих в области изучения проблем дефектообразования и для студентов физических факультетов.

Работа посвящена установлению закономерностей процессов дефектообразования в слоистых структурах диоксид кремния-кремний и приборных системах на их основе, установлению механизмов влияния дефектов на электрофизические характеристики, моделированию процессов токопереноса в этих структурах и системах. При помощи теоретических и экспериментальных методов современных исследований установлены свойства и предложена топологическая модель реальной структуры приповерхностной области в кремниевых слоистых структурах диоксид кремния-кремний, которая основана на исследовании механизма возникновения пластической деформации на границе раздела, что приводит к образованию дефектов в переходной области кремния. Разработанные физические модели токопереноса в контактах металл-кремний в рамках существующих приближений и модель токопереноса в реальных полевых МОП-системах. Предназначена для ширового круга специалистов в области изучения процессов дефектообразования и студентов соответствующих специальностей.

В монографии, на основе проведенных с помощью современных методов исследований определенна реальная дефектная структура приповерхностных слоев кремния в системе Si-SiO2. В результате появления механических напряжений и деформаций в приповерхностной области кремния образовывается сложная структура, которая состоит из области сильно разупорядоченного кремния и области, которая содержит дислокационные сетки. На основе модели приповерхностных слоев окисленного кремния построенная модель токопереноса в инверсионном канале полевых МОП - приборов. Данная модель учитывает факт рассеяния носителей заряда на дислокационных барьерах, которые присутствуют в канале. Глубокие уровни приповерхностного слоя кремния, образованные границами блоков разупорядоченного кремния, влияют на баланс между радиационной чувствительностью и термополевой стабильностью параметров дозиметров поглощающей дозы ионизирующих излучений на основе полевых МОП – транзисторов.