Новинки Геннадия Яковлевича Красникова
- 1 произведение
- 3 издания на 2 языках
-
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов Геннадий Красников
ISBN: 978-5-94836-289-2 Год издания: 2011 Издательство: Техносфера Язык: Русский В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов. -
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. В 2 частях. Часть 2 Геннадий Красников
ISBN: 5-94836-001-6 Год издания: 2004 Издательство: Техносфера Язык: Русский Во второй части книги продолжено описание результатов исследований, разработки и производства субмикронных МОП-транзисторов: представлены особенности формирования канала и затвора, рассмотрены вопросы влияния горячих носителей и технологических
-
Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС Николай Зайцев, Геннадий Красников
ISBN: 5-93497-001-1 Год издания: 1999 Издательство: Микрон-принт Язык: Русский Рассмотрены проблемы образования и включения неконтролируемых примесей в структуру полупроводникового прибора. Дан подробный анализ и определены требования, выдвигаемые к исходным материалам, технологическим средам и оборудованию; подробно описаны основные технологические процессы и оборудование, используемые в субмикронной технологии. Впервые дана классификация и подробно рассмотрены различные дефекты, образующиеся в системе Si-SiO2 в процессе ее изготовления; проведен анализ известных методов геттерирования. С единой научной концепции, основанной на анализе структурно-примесных дефектов системы Si-SiO2, рассмотрена нестабильность электрических свойств структур металл (поликристаллический кремний) диоксид кремния - кремний, связанная с дрейфом ионов и забросом носителей заряда в слой окисленного кремния. Дан критический анализ известных способов стабилизации системы Si-SiO2, подробно рассмотрены наиболее перспективные, которые могут быть использованы в субмикронной технологии кремниевых микросхем. Рассмотрено влияние материала (алюминий, а также многокомпонентных сплавов на его основе) и технологии осаждения полевого электрода на электрофизические свойства МДП систем.
Для инженерно-технических работников, специализирующихся в области физики и технологии кремниевых микросхем, а также будет полезна научным работникам, аспирантам и студентам ВУЗов.