Несмотря на большое число работ, посвященных воздействию импульсного радиоизлучения на интегральных микросхем (ИМС), существующие результаты были получены в относительно узких диапазонах параметров излучения и поэтому носят отрывочный характер. Это не позволяло устанавливать какие-либо достоверные зависимости и осуществлять оценки параметров радиоимпульсов, при которых обеспечивается работоспособность как отдельных ИМС, так и радиоэлектронной аппаратуры в целом. Настоящая работа посвящена исследованию стойкости ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. Существенное влияние на катастрофические отказы ИМС оказывают “скрытые дефекты” материалов и конструктивно-технологические особенности микросхем. При полиимпульсном воздействии появляются качественно новые особенности, связанные как с тем, что многие активные элементы ИМС (диоды, транзисторы), расположенные на кристалле, становятся полиимпульсными источниками тепловыделения, так и со статистическим характером повреждения полупроводниковых приборов.
